-
Излучательная рекомбинация
— процесс,
при котором
электрон из зоны проводимости, теряя
энергию, перескакивает в валентную зону, где соединяется с дыркой;
потерянная им энергия высвечивается в виде кванта
электромагнитного излучения.
-
Когда вещество, осаждающееся из жидкости или пара на поверхности
кристалла-подложки, образует кристаллическую
решетку, ориентированную одинаково с решеткой
подложки, происходит эпитаксиальный рост..
- При абсолютном
нуле температуры все электроны
в кристаллической
решетке занимают
наиболее низкие
по
энергии состояния (распределение Ферми) и наибольшая
возможная при этом их энергия
называется уровнем Ферми. При
не равной нулю температуре распределение Ферми со стороны высоких
энергий «размазывается», и
под уровнем Ферми понимают энергию
такого состояния, вероятность
заполнения которого электроном равна 1/2.
- В полупроводнике, в котором электроны
и дырки рекомбинируют с меньшей скоростью, чем
рождаются, возникают неравновесные
распределения Ферми для электронов и дырок.
-
При этом уровни с вероятностью заполнения 1/2 электронами (в
зоне проводимости) или дырками (в валентной зоне) называются
соответственно электронным и дырочным
квазиуровнями Ферми.
- Инверсная
заселенность — распределение
частиц по энергиям, например в
кристалле, обратное тому, что
имеет место в обычных условиях: в
состояниях с высокой энергией оказывается больше частиц, чем в
состояниях с низкой энергией.
- Волноводный
слой в лазере — сечение, вдоль которого происходит усиление
возбужденного в нем излучения до
его выхода наружу.
-
-
Волноводный слой
в лазере — сечение, вдоль которого происходит усиление
возбужденного в нем излучения до его
выхода наружу.
-
- Условия
Вульфа-Брэгга определяют положения максимумов
интенсивности волн, отраженных при падении
на совокупность атомных слоев
в кристаллах. Эти условии справедливы
как для электромагнитных волн, так и
для волн, описывающих движение
электронов и других частиц в кристаллах.
-
-
Спонтанное излучение —
электромагнитное излучение, испускаемое атомами вещества
самопроизвольно, в отсутствие
каких-либо других видов излучения.
-
- Динистор
— разновидность тиристора, представляет
собой также р—п—р—п
структуру. В отличие от последнего,
в котором управление током производится с помощью специального электрода (аналогичного сетке в
газоразрядной лампе-тиратроне), роль
которого играет контакт к одному
из средних п- или р- слоев тиристора,
динистор имеет только два электрода (аналогичные катоду
и аноду), и
управление током производится с любого из них.